pn接合を考える。
Na:アクセプタ濃度
Nd:ドナー濃度
Eg:バンドギャップ
Ec:伝導帯下端エネルギー準位
Ev:価電子帯上端エネルギー準位
Φ_bi ( = V_bi ) = kT/q ln ( NaNd/ni^2 ) [V] ...拡散電位
Eg = Ec-Ev
n = Nc exp(- Ec-Ev/kT)
p = Nv exp(- Ef-Ev/kT)
np = NcNv exp(- Ec-Ev/kT) = NcNv exp(- Eq/kT) = ni^2
Φ_bi = kT/q ln(NaNd/(NcNv exp(- Eq/kT))) = Eg/q + kT/q ln(NaNd/NcNv)
ここでは NaNd<NcNvであったが≒とする場合代入して
Φ_bi = Eg/q
となる。（のかな？）
PR
